Beitrag zum europäischen Forschungsprojekt Move2THz
SPICE-Modelle für InP-basierte Hochfrequenzbauelemente
AdMOS ist Partner im europäischen Forschungsprojekt Move2THz. Das Projekt widmet sich der Entwicklung einer neuen Generation hochfrequenter Halbleiterbauelemente auf Basis von Indiumphosphid (InP), insbesondere HEMTs und HBTs. Ziel ist der Aufbau eines europäischen Ökosystems für die Herstellung und Integration von InP-on-Silicon-Wafern — einer Schlüsseltechnologie für zukünftige Anwendungen in 6G-Kommunikation, Photonik und Künstlicher Intelligenz.
Als Mitglied des 27 Partner starken Konsortiums bringt AdMOS seine langjährige Erfahrung in der Modellierung und Simulation elektronischer Bauelemente ein. Der Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung präziser SPICE-Modelle und der simulationsgestützten Bewertung InP-basierter Hochfrequenzkomponenten. Diese Arbeiten unterstützen die Verlässlichkeit und Integration der neuen Technologie in komplexe Systemumgebungen.
Move2THz wird im Rahmen des europäischen Chips Act gefördert und zielt darauf ab, die technologische Souveränität Europas im Bereich Hochfrequenz-Halbleiter langfristig zu stärken. Für AdMOS bedeutet die Beteiligung an diesem Projekt eine strategische Erweiterung des Engagements in der europäischen Spitzenforschung — mit direktem Bezug zu zukünftigen Märkten und Anwendungen.
