Im Rahmen der SISPAD 2025 (International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices), die vom 24. bis 26. September in Grenoble stattfand, nahm AdMOS am vorgelagerten Device Modeling Connect Seminar von Keysight Technologies teil. Die begleitende Veranstaltung am 23. September 2025 brachte führende Industrie- und Forschungsexperten im Bereich der Halbleitermodellierung zusammen.

Fachvortrag von Dr. Thomas Gneiting

Dr. Thomas Gneiting, Geschäftsführer der AdMOS GmbH, war als Speaker eingeladen und präsentierte den Vortrag:

„Evaluation of Cryogenic Compact Simulation Models for FDSOI CMOS Transistors in Quantum Computing Applications“

In seinem Beitrag ging Dr. Gneiting auf die Besonderheiten und Herausforderungen bei der Simulation kryogen betriebener FDSOI-CMOS-Transistoren ein. Neben der Evaluierung geeigneter Kompaktmodelle wurden Ansätze zur Anpassung und Validierung unter extrem tiefen Temperaturen vorgestellt, wie sie z. B. in supraleitenden oder qubit-nahen Anwendungen erforderlich sind.

Relevanz für Industrie und Forschung

Die Teilnahme von AdMOS unterstreicht die Rolle des Unternehmens in der Modellierung moderner Halbleiterbauelemente. Mit Forschungs- und Entwicklungsarbeiten im Bereich kryogener CMOS-Simulation unterstützt AdMOS die Weiterentwicklung von Technologien für Quanteninformationssysteme, präzise Parameterextraktion und zuverlässige Bauelementmodellierung.